[发明专利]一种利用rubrene/C60双层异质结制备双极型有机场效应管的方法在审
| 申请号： | 201710734375.4 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN107528000A | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 邓金祥;张浩;潘志伟;陈亮 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L51/05;H01L51/30 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种利用rubrene/C60双层异质结制备双极型有机场效应管的方法属于微电子有机器件领域。本发明分别采用rubrene和C60作为p型和n型材料制备rubrene/C60异质结双极场效应管，提高AOFET中的电子和空穴的载流子迁移率。本发明制备了一种新的双极有机场效应管，场效应管均有较高的电子和空穴迁移率。所述制备方法仅为常规的蒸镀、PVT、退火等工艺，便于实现且价格低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 rubrene c60 双层 异质结 制备 双极型 有机 场效应 方法 | ||
【主权项】：
一种利用rubrene/C60双层异质结制备双极型有机场效应管的方法，其特征在于：(1)以p+‑Si/SiO2为栅极/栅介质层，并兼做衬底；将衬底分别用丙酮、乙醇、去离子水依次超声清洗后干燥；(2)采用真空蒸发法在SiO2/Si衬底上蒸镀Au电极；(3)运用管式炉通过PVD法在蒸镀有Au电极的SiO2/Si衬底上生长厚度为130‑150nm的P型有源层rubrene；管式炉加热区最高温度在260‑300℃之间调节；(4)采用真空蒸发法在P型有源层rubrene上蒸镀厚度为130‑150nm的N型有源层C60；C60的蒸发温度控制在350‑450℃之间。
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