[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底和鳍部，衬底包括PMOS区和NMOS区；形成横跨鳍部且覆盖鳍部部分顶部和侧壁的栅极层；在PMOS区栅极层两侧鳍部内形成P型掺杂外延层；在NMOS区鳍部顶部和侧壁上形成N区掩膜层，N区掩膜层还覆盖P型掺杂外延层；刻蚀NMOS区栅极层两侧鳍部顶部上的N区掩膜层，且还刻蚀部分厚度鳍部，刻蚀后的鳍部与N区掩膜层构成N区凹槽；形成填充满N区凹槽的N型掺杂外延层；在衬底上形成层间介质层；在栅极层两侧的层间介质层内形成露出P型掺杂外延层和N型掺杂外延层的接触开口；对接触开口露出的N型掺杂外延层进行杂质分凝肖特基掺杂工艺。通过杂质分凝肖特基掺杂工艺，减小NMOS的接触电阻，且避免额外光罩的使用。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上分立的鳍部，所述衬底包括PMOS区和NMOS区；形成横跨所述鳍部的栅极层，所述栅极层覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁；在所述PMOS区栅极层两侧的鳍部内形成P型掺杂外延层；在所述NMOS区的鳍部顶部和侧壁上形成N区掩膜层，所述N区掩膜层还覆盖所述P型掺杂外延层；刻蚀去除位于所述NMOS区栅极层两侧的鳍部顶部上的N区掩膜层，暴露出所述NMOS区栅极层两侧的鳍部顶部表面，且还刻蚀去除所述NMOS区的部分厚度鳍部，刻蚀后的NMOS区鳍部与所述N区掩膜层构成N区凹槽；形成填充满所述N区凹槽的N型掺杂外延层；在所述衬底上形成层间介质层，所述层间介质层覆盖所述栅极层、P型掺杂外延层和N型掺杂外延层；刻蚀所述栅极层两侧的层间介质层，形成露出所述P型掺杂外延层和N型掺杂外延层的接触开口；对所述接触开口露出的N型掺杂外延层进行N型杂质分凝肖特基掺杂工艺。