[发明专利]一种硅片制备工艺在审
| 申请号： | 201710735081.3 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN107457921A | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 王少刚;刘晓伟;范猛;刘琦;刘涛;赵朋占;辛超;刘沛然;石海涛;杨旭洲;李建扬;米心愿;刘超;张猛;李彦楠;王宏伟;李海彬;孙青格勒;王心;贾瑞波 | 申请（专利权）人： | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/04 | 分类号： | B28D5/04;B28D7/04;B24B27/06;B08B3/08 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300384 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅片制备工艺，工艺步骤包括单晶粘接，多线切割，脱胶，清洗，其中多线切割采用钻石线进行切割，并保持钻石线切割过程中保持冷却液持续喷淋。本发明的有益效果是通过上述工艺加工产品品质高、崩边、ttv、warp、花片等不良以及加工成本明显低于行业水平，提高了硅片的品质，并提高了良品率，降低了生产成本的同时也提高了生产效率；切割硅棒时采用头尾空槽线网的多线切割方式，不仅能够提高切割效率，更能够均匀消耗钻石线，避免局部过度使用，提高钻石线的使用时长，也避免切割所得硅片品质差异过大。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种硅片制备工艺，其特征在于：工艺步骤包括：S1单晶粘接，将硅棒粘接到料板上，便于切割；S2多线切割，用钻石线将硅棒切割成硅片；S3脱胶，将切割好的硅片从料板上分离；S4清洗，将硅片表面清洗干净。
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