[发明专利]选择性沉积外延锗合金应力源的方法与设备有效
| 申请号： | 201710735725.9 | 申请日： | 2011-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN107675250B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;戴维·K·卡尔森 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C30B25/14 | 分类号： | C30B25/14;C30B25/16;C30B29/52 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述形成异质结应力源层的方法与设备。将锗前驱物与金属前驱物提供至腔室，并在基板上形成锗‑金属合金的外延层。金属前驱物通常是金属卤化物，可由升华固态金属卤化物或通过卤素气体接触纯金属来提供金属卤化物。可通过喷头或通过侧进入点来提供前驱物，并可分开地加热耦接至腔室的排气系统以管理排气成分的凝结。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 沉积 外延 合金 应力 方法 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710735725.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
