[发明专利]一种多层有机单晶结构的生长装置有效
| 申请号： | 201710736116.5 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN109423696B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 后藤修;陈默;曾兴为;魏潇赟;孟鸿 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | C30B29/54 | 分类号： | C30B29/54;C30B23/00 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 郭伟刚 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多层有机单晶结构的生长装置，利用多种有机半导体材料生长pn结、异质结、量子阱、多量子阱等多层有机单晶结构。该设备特征为：1.至少具有两个温度控制区域，分别用于材料的升华和单晶的生长；2.两个温度控制区域相邻平行，温度可快速、独立调控；3.第一层单晶生长结束后，无需单晶表面与空气接触即可完成源材料的更换，进行后续第二层单晶生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 有机 结构 生长 装置 | ||
【主权项】：
1.一种多层有机单晶结构的生长装置，其特征在于，包括放置于惰性气体气氛保护下的气相生长单元，所述气相生长单元包括进气封头以及与所述进气封头可拆卸连接的气流套管，所述气流套管内设置源材料升华区和生长区。
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