[发明专利]基于复合转移衬底的垂直结构深紫外LED器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201710736265.1 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN107611233B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 云峰;张烨;田振寰 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/04;H01L33/32;H01L33/36;H01L33/46 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于复合转移衬底的垂直结构深紫外LED器件及其制备方法，包括自上到下依次AlN层、深紫外外延结构、反光镜层、过渡金属层及导电衬底，其中，深紫外外延结构包括第一深紫外外延结构及第二深紫外外延结构，反光镜层包括第一反光镜层及第二反光镜层，该LED器件及其制备方法能够有效的解决金属过渡层制作成本高、粘附性差及剥离过程中易出现断裂的问题，同时有效的解决了转移后AlN层去除的技术难题。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 复合 转移 衬底 垂直 结构 深紫 led 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于复合转移衬底的垂直结构深紫外LED器件，其特征在于，自上到下依次包括AlN层(21)、深紫外外延结构、反光镜层、过渡金属层(61)及导电衬底(6)，其中，深紫外外延结构包括第一深紫外外延结构及第二深紫外外延结构，反光镜层包括第一反光镜层(41)及第二反光镜层(42)，其中，第一反光镜层(41)及第二反光镜层(42)均位于过渡金属层(61)上，且第一反光镜层(41)与第二反光镜层(42)之间有第一间隙，第一深紫外外延结构位于第一反光镜层(41)上，第一深紫外外延结构的上表面与AlN层(21)的底面相接触，第二深紫外外延结构位于第二反光镜层(42)上，且第二深紫外外延结构的上表面与AlN层(21)的底面相接触，且第一深紫外外延结构与第二深紫外外延结构之间有第二间隙，且第一间隙与第二间隙相连通形成刻蚀走道，AlN层(21)的中部断开，且AlN层(21)上断开的位置正对第二间隙，第一N面电极(100)的下端自上到下穿过AlN层(21)与第一深紫外外延结构的上表面相接触，第二N面电极(101)的下端自上到下穿过AlN层(21)与第二深紫外外延结构的上表面相接触。
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