[发明专利]顶发射AMOLED像素电路及其驱动方法有效
申请号: | 201710736699.1 | 申请日: | 2017-08-24 |
公开(公告)号: | CN107393477B | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 韩佰祥 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/3233 | 分类号: | G09G3/3233 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂;刘巍 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种顶发射AMOLED像素电路及其驱动方法。该顶发射AMOLED像素电路包括:第一薄膜晶体管(T1),连接第一节点(G),第二节点(S)和第三节点(D);第二薄膜晶体管(T2),连接扫描信号(Scan),第一节点(G)和数据信号(Data1);第三薄膜晶体管(T3),连接扫描信号(Scan),第二节点(S)和参考电压(Ref);第四薄膜晶体管(T4),连接扫描信号(Scan),第三节点(D)和电源高电压(Data2);第一电容(Cst)连接第一节点(G)和第二节点(S);第二电容(C)连接第三节点(D)和参考电压(Ref);OLED连接第二节点(S)和电源低电压(VSS);该电源高电压(Data2)与电源低电压(VSS)之间的差值保持不变。本发明还提供了相应的驱动方法。本发明可以有效缓解透明阴极阻抗增大引起的IR压降。 | ||
搜索关键词: | 发射 amoled 像素 电路 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】:
1.一种顶发射AMOLED像素电路,其特征在于,包括:第一薄膜晶体管(T1),其栅极连接第一节点(G),源极和漏极分别连接第二节点(S)和第三节点(D);第二薄膜晶体管(T2),其栅极连接扫描信号(Scan),源极和漏极分别连接第一节点(G)和数据信号(Data1);第三薄膜晶体管(T3),其栅极连接扫描信号(Scan),源极和漏极分别连接第二节点(S)和参考电压(Ref);第四薄膜晶体管(T4),其栅极连接扫描信号(Scan),源极和漏极分别连接第三节点(D)和电源高电压(Data2);第一电容(Cst),其两端分别连接第一节点(G)和第二节点(S);第二电容(C),其两端分别连接第三节点(D)和参考电压(Ref);OLED,其阳极连接第二节点(S),阴极连接电源低电压(VSS);其中,该电源高电压(Data2)根据电源低电压(VSS)确定,该电源高电压(Data2)与电源低电压(VSS)之间的差值保持不变,该参考电压(Ref)小于OLED的开启电压。
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