[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201710736777.8 申请日: 2017-08-24
公开(公告)号: CN107564855B 公开(公告)日: 2020-05-26
发明(设计)人: 班圣光;曹占锋;姚琪 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L21/77 分类号: H01L21/77;H01L27/12
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 罗瑞芝;陈源
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明属于显示技术领域,具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。该阵列基板的制备方法包括采用刻蚀工艺在衬底的一侧形成含硅材料膜层的步骤,衬底通过顶针设于刻蚀腔室内,在形成含硅材料薄膜层之前,还包括:在衬底待形成含硅材料薄膜层的另一侧形成刻蚀保护层,刻蚀保护层使得衬底背面对应着顶针区的刻蚀速率与对应着非顶针区的刻蚀速率一致。该阵列基板一方面将现有的阵列基板的9Mask工艺减少使用一道掩模板成为8Mask工艺,能够有效的降低制备过程中的工艺难度;另一方面,通过在玻璃衬底的背面沉积一层SiNx来消除刻蚀不均引起的差异,进而消除刻蚀Pin Mura的产生。其中的刻蚀保护层特别适用于消除含硅材料刻蚀工艺中的衬底背面的刻蚀差异。
搜索关键词: 阵列 及其 制备 方法 显示装置
【主权项】:
一种阵列基板的制备方法,包括采用刻蚀工艺在衬底的一侧形成含硅材料膜层的步骤,所述衬底通过顶针设于刻蚀腔室内,其特征在于,在形成含硅材料薄膜层之前,还包括:在所述衬底待形成所述含硅材料薄膜层的另一侧形成刻蚀保护层,所述刻蚀保护层使得所述衬底背面对应着顶针区的刻蚀速率与对应着非顶针区的刻蚀速率一致。
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