[发明专利]一种高电子迁移率晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及其制造方法，其凹栅的形成，是通过在所述第一层薄AlGaN势垒层上栅极区域制作二次外延阻挡层，然后再在所述第一层薄AlGaN势垒层上依次外延第二层AlGaN势垒层和GaN帽层，并去除阻挡层来形成，因此在制作凹栅时不需要经过任何干法和湿法刻蚀工艺，避免了刻蚀对AlGaN势垒层表面的损伤，降低界面太，以保证晶体管栅极优异的性能；另外，由于凹栅是通过AlGaN二次外延实现得，从而使得器件具有双AlGaN势垒层，保证了沟道中充足的电子，以使器件具有较大的导通电流。

主权项

一种高电子迁移率晶体管的制造方法,其特征在于，包括：在衬底上生长GaN缓冲层；在所述GaN缓冲层上外延第一层薄AlGaN势垒层；在所述第一层薄AlGaN势垒层上栅极区域制作二次外延阻挡层；在所述第一层薄AlGaN势垒层上依次外延第二层AlGaN势垒层和GaN帽层，并去除阻挡层，以形成凹栅；依次沉积栅极介质层和栅极金属层，其中所述沉积栅极介质层和栅极金属层在所述凹栅处沉积后形成栅极窗口；定义欧姆接触区域，并刻蚀出欧姆接触区域，以形成源极窗口和漏极窗口；沉积欧姆接触金属并图形化以形成源、漏和栅电极；制备晶体管护层，并对该晶体管护层进行开孔，以打开各金属电极。