[发明专利]一种QLED器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201710737364.1 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN109427939B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 李龙基;曹蔚然 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/02 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种QLED器件及其制备方法，所述QLED器件包括依次设置的阳极、量子点发光层和阴极，其中，还包括设置于所述阳极和所述量子点发光层之间的BiOI层，及设置于所述阴极和所述量子点发光层之间的BiOI层。本发明在量子点发光层两侧设置一层超薄的BiOI，所述阳极和所述量子点发光层之间的BiOI层，增加了注入的空穴浓度；所述阴极和所述量子点发光层之间的BiOI层，增加了注入的电子浓度。并且所述量子点发光层两侧的超薄BiOI层将电子和空穴限制在量子点发光层内，从而增加电子与空穴对的复合，有效提高载流子平衡，减少漏电流的产生，进而有效提高了QLED器件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 qled 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种QLED器件，所述QLED器件包括依次设置的阳极、量子点发光层和阴极，其特征在于，还包括设置于所述阳极和所述量子点发光层之间的BiOI层，及设置于所述阴极和所述量子点发光层之间的BiOI层。
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