[发明专利]纳米金属光栅的制备方法及纳米金属光栅有效

专利信息
申请号: 201710739576.3 申请日: 2017-08-25
公开(公告)号: CN107479121B 公开(公告)日: 2018-12-11
发明(设计)人: 侯俊;卢马才 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02B5/18 分类号: G02B5/18;G02B5/30;G02F1/1335;G03F7/00
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供纳米金属光栅的制备方法及纳米金属光栅,方法包括步骤:提供一基板,在基板上设置有金属层;在金属层上形成压印胶层;采用具有光栅周期图形的压印模板压印压印胶层;固化压印胶层,固化后移除压印模板,形成具有光栅周期图形的压印胶,在光栅周期图形的底部残留有压印胶;采用氧气灰化的方法去除残留压印胶,暴露出光栅周期图形的底部的金属层,并在暴露的金属层表面形成金属氧化物膜;去除具有光栅周期图形的压印胶;以金属氧化物膜为掩膜,图形化金属层,形成纳米金属光栅。本发明优点是,一、解决了现有技术中金属层氧化后刻蚀无法进行的难题;二、金属氧化物膜作为后续工艺的掩膜制作纳米金属光栅,且还可作为纳米金属光栅保护层。
搜索关键词: 纳米 金属 光栅 制备 方法
【主权项】:
1.一种纳米金属光栅的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:提供一基板,在所述基板上设置有一金属层;在所述金属层上形成压印胶层;采用具有光栅周期图形的压印模板压印所述压印胶层;固化所述压印胶层,固化后移除所述压印模板,形成具有光栅周期图形的压印胶,在光栅周期图形的底部残留有压印胶;采用氧气灰化的方法去除残留的压印胶,暴露出光栅周期图形的底部的金属层,并在暴露的金属层表面形成金属氧化物膜;去除具有光栅周期图形的压印胶;以金属氧化物膜为掩膜,图形化所述金属层,形成纳米金属光栅。
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