[发明专利]一种半导体薄膜四象限光照传感器及其制备方法

摘要

本发明提供一种半导体薄膜四象限光照传感器及其制备方法。该传感器具有多层结构，从光入射面由表及里依次为光阑、衬底、顶电极、半导体薄膜光电转化层、背电极和保护层；所述传感器顶电极、半导体薄膜光电转化层、背电极具有阵列结构，其中每个单元所包含的顶电极、半导体薄膜光电转化层、背电极相互连通，单元之间的半导体薄膜光电转化层、背电极彼此不连通。本发明所述传感器的光电转化层为半导体薄膜材料，使器件阻抗显著增加，提高了测量稳定性。本发明所述制备方法，使器件加工精度显著增加，提高了测量精确度。

主权项

1.一种基于半导体薄膜光电转化层的四象限光照传感器，其特征在于该传感器具有多层结构，从光入射面由表至里由光阑、衬底、顶电极、半导体薄膜光电转化层、背电极和保护层组成；所述光阑位于衬底上靠近光入射一侧，光阑设有开孔；所述顶电极位于衬底和半导体薄膜光电转化层之间，顶电极上设置顶电极有效区和顶电极无效区；所述半导体薄膜光电转化层位于顶电极和背电极之间，半导体薄膜光电转化层与背电极具有一致的背电极有效区和背电极无效区；所述顶电极有效区和背电极有效区部分重叠形成光电有效区；所述保护层，位于背电极表面，覆盖光电有效区全部区域，覆盖顶电极有效区和背电极有效区部分区域，所述传感器顶电极、半导体薄膜光电转化层、背电极具有阵列结构，其中每个单元所包含的顶电极、半导体薄膜光电转化层、背电极相互连通，单元之间的半导体薄膜光电转化层、背电极彼此不连通。