[发明专利]半导体装置和用于形成半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201710740764.8 | 申请日： | 2017-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN107785343A | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | S·阿纳尼耶夫;R·鲍尔;H·克尔纳;Y·Y·陈;J·瓦尔特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 郭毅 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置包括导电接触焊盘结构。此外，所述半导体装置包括结合结构。所述结合结构至少在封闭的界面区域处与导电接触焊盘结构接触。附加地，半导体装置包括侧向包围所述封闭的界面区域的劣化防止结构。所述劣化防止结构垂直方向上位于所述结合结构的一部分与所述导电接触焊盘结构的一部分之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置(100、200、300、400、500、600、700、800)，包括：导电接触焊盘结构(110)；至少在封闭的界面区域(160)处与所述导电接触焊盘结构(110)接触的结合结构(150)；和侧向包围所述封闭的界面区域(160)的劣化防止结构(140)，其中，所述劣化防止结构(140)在垂直方向上位于所述结合结构(150)的一部分与所述导电接触焊盘结构(110)的一部分之间。
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