[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710741007.2 | 申请日： | 2017-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN108573977B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 吉水康人;下城义朗;荒井伸也 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11551 | 分类号： | H01L27/11551;H01L27/11556;H01L27/11578;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及半导体装置及其制造方法。本发明的实施方式提供能够缩小下层布线宽度的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置中，电极层(70)的与过孔(81)的侧面相向的端面(70a)与过孔(81)的侧面之间的、沿着过孔(81)的直径方向的距离(d1)，比绝缘体(72)的与过孔(81)的侧面相向的端面(72a)与过孔(81)的侧面之间的沿着直径方向的距离(d2)大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：下层布线；上层布线；层叠体，其设置于所述下层布线与所述上层布线之间，并且具有隔着绝缘体层叠的多个电极层；导电性的过孔，其贯通所述层叠体而将所述上层布线与所述下层布线连接；以及绝缘膜，其设置于所述过孔与所述层叠体之间，所述电极层的与所述过孔的侧面相向的端面与所述过孔的所述侧面之间的、沿着所述过孔的直径方向的距离，比所述绝缘体的与所述过孔的所述侧面相向的端面与所述过孔的所述侧面之间的沿着所述直径方向的距离大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
