[发明专利]一种光纤嵌入式高能中子转换屏的制备方法有效
| 申请号： | 201710741201.0 | 申请日： | 2017-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN107479086B | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 吴洋;唐彬;彭述明;钱达志;李航;曹超;霍合勇;孙勇;王胜;尹伟;刘斌;朱世雷;张旸;李江波;姚健;陈玉山;唐孝容 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 |
| 主分类号： | G01T3/00 | 分类号： | G01T3/00;G02B6/02 |
| 代理公司： | 中国工程物理研究院专利中心 51210 | 代理人： | 翟长明;韩志英 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光纤嵌入式高能中子转换屏的制备方法。该制备方法通过高速匀浆机完成基材的制备，并利用模具完成光纤的预置和基材的定型固化，再经过打磨制成转换屏。该制备方法具有设备简单、生产效率高、材料损耗小，产品质量好的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光纤 嵌入式 高能 中子 转换 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种光纤嵌入式高能中子转换屏，其特征在于：所述的转换屏包括基材和光纤；所述的转换屏的基材原料按重量百分比组成如下：硫化锌 40%～50％；环氧树脂 30%～40％；固化剂 10%～14％；稀释剂 8%～10％；消泡剂 0.1%～0.5%；偶联剂 0.8%～1％；所述的固化剂为聚醚胺；所述的稀释剂为1，4‑丁二醇缩水甘油醚；所述的消泡剂为聚硅氧烷；所述的偶联剂为γ一氨丙基三甲氧基硅烷；所述的光纤为竖直方向排列的阵列式嵌入光纤，光纤的直径为0.5mm，吸收波长峰值432nm，输出波长峰值532nm。
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