[发明专利]半导体器件和图像传感器有效
| 申请号： | 201710741357.9 | 申请日： | 2017-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN107785385B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 李泰渊;李贵德;李明源 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件和一种图像传感器。半导体器件可以包括：衬底；衬底中的器件隔离图案，以将第一像素和第二像素彼此电隔离；器件隔离图案中的导电图案；以及器件隔离图案的侧表面上的掺杂层。掺杂层的导电类型可以与衬底的导电类型不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 图像传感器 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其包括：衬底；所述衬底中的器件隔离图案，所述器件隔离图案将第一像素和第二像素彼此电隔离；所述器件隔离图案中的导电图案；以及所述器件隔离图案的侧表面上的掺杂层，其中，所述掺杂层的导电类型与所述衬底的导电类型不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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