[发明专利]半导体元件与其制造方法在审
| 申请号： | 201710741887.3 | 申请日： | 2017-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN109427909A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 许修文;叶俊瑩;倪君伟;罗振达 | 申请（专利权）人： | 帅群微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L23/552;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新北*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体元件与其制造方法。半导体元件包含基板、磊晶层、第三介电层、屏蔽层、第四介电层、栅极、多个掺杂区以及第五介电层。磊晶层位于基板上。第三介电层设置于磊晶层的第一沟渠中，并形成第二沟渠于第一沟渠中。屏蔽层具有上半部分与下半部分，其中下半部分设置于第二沟渠中，上半部分凸出于第三介电层。栅极设置于磊晶层中与第三介电层上，其中第四介电层设置于屏蔽层与栅极之间。掺杂区设置于位于栅极的四周的磊晶层中。第五介电层设置于掺杂区与栅极之间。半导体元件因为位于栅极旁边的介电层的厚度较薄，另外，在栅极下方的介电层的厚度够厚，所以使半导体元件在具有低导通电压的同时可以承载较高的逆向电压。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 半导体元件 磊晶层 第三介电层 沟渠 掺杂区 屏蔽层 基板 导通电压 逆向电压 制造 承载 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包含：形成一磊晶层于一基板上；形成一第一沟渠于该磊晶层中；依序形成一第一介电层、一第二介电层以及一第三介电层于该磊晶层上，其中该第三介电层形成一第二沟渠，该第二沟渠位于该第一沟渠中；形成一屏蔽层于该第二沟渠中；移除该第三介电层的一上半部分，以使该屏蔽层的一上半部分凸出于该第三介电层；形成一第四介电层于该屏蔽层的该上半部分；移除未被该第三介电层覆盖的该第二介电层与该第一介电层，以裸露该磊晶层；形成一第五介电层；形成一栅极于该第三介电层上，并使该第五介电层介于该栅极与该磊晶层之间；以及形成多个掺杂区于该栅极的四周的该磊晶层中。
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