[发明专利]具有高雪崩健壮性的晶体管装置有效
| 申请号： | 201710742484.0 | 申请日： | 2017-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN107785410B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | B.菲舍尔;G.弗拉贾科莫;R.门特;A.维尔梅罗特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;杜荔南 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有高雪崩健壮性的晶体管装置。公开了一种晶体管装置。晶体管装置包括：漏极节点、源极节点和栅极节点；多个漂移和补偿基元，均包括第一掺杂类型的漂移区和与第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的补偿区；和控制结构，连接在每个漂移和补偿基元的漂移区和源极节点之间。多个漂移和补偿基元中的每个的漂移区被耦合到漏极节点，并且所述多个漂移和补偿基元中的每个的补偿区被耦合到源极节点。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 雪崩 健壮性 晶体管 装置 | ||
【主权项】：
一种晶体管装置，包括：漏极节点、源极节点和栅极节点；多个漂移和补偿基元，每个漂移和补偿基元包括第一掺杂类型的漂移区和与第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的补偿区；和控制结构，连接在每个漂移和补偿基元的漂移区和源极节点之间，其中所述多个漂移和补偿基元中的每个漂移和补偿基元的漂移区被耦合到漏极节点，并且所述多个漂移和补偿基元中的每个漂移和补偿基元的补偿区被耦合到源极节点，以及其中漂移区的第一类型掺杂浓度N1高于第一掺杂水平L1并且补偿区的第二类型掺杂浓度N2高于第二掺杂水平L2，其中并且其中εS是漂移区和补偿区的半导体材料的介电常数，EC是半导体材料的雪崩击穿的临界电场，q是基本电荷，w1是沿与电流流动方向垂直的方向的漂移区的宽度，并且w2是沿与电流流动方向垂直的方向的补偿区的宽度。
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