[发明专利]半导体装置

摘要

本发明的一个方式提供一种性能高且可靠性高的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括第一晶体管；第二晶体管；覆盖第一晶体管的至少一部分的第一金属氧化物；第一晶体管及第二晶体管上的绝缘膜；以及绝缘膜上的第二金属氧化物。第一晶体管包括第一栅电极；第一栅极绝缘膜；第一氧化物；第一源电极及第一漏电极；第二栅极绝缘膜；以及第二栅电极。第二晶体管包括第三栅电极；第三栅极绝缘膜；第二氧化物；第二源电极及第二漏电极；第四栅极绝缘膜；以及第四栅电极。第一栅极绝缘膜及第二栅极绝缘膜与第一金属氧化物接触，第三栅极绝缘膜及第四栅极绝缘膜与绝缘膜接触。并且，绝缘膜包含过剩氧。

主权项

一种半导体装置，包括：第一晶体管；第二晶体管；覆盖所述第一晶体管的至少一部分的第一金属氧化物；所述第一晶体管及所述第二晶体管上的绝缘膜；以及所述绝缘膜上的第二金属氧化物，其中，所述第一晶体管包括：第一栅电极；所述第一栅电极上的第一栅极绝缘膜；所述第一栅极绝缘膜上的第一氧化物；与所述第一氧化物电连接的第一源电极及第一漏电极；所述第一氧化物上的第二栅极绝缘膜；以及所述第二栅极绝缘膜上的第二栅电极，所述第二晶体管包括：第三栅电极；所述第三栅电极上的第三栅极绝缘膜；所述第三栅极绝缘膜上的第二氧化物；与所述第二氧化物电连接的第二源电极及第二漏电极；所述第二氧化物上的第四栅极绝缘膜；以及所述第四栅极绝缘膜上的第四栅电极，所述第一栅极绝缘膜及所述第二栅极绝缘膜与所述第一金属氧化物接触，所述第三栅极绝缘膜及所述第四栅极绝缘膜与所述绝缘膜接触，并且，所述绝缘膜包含过剩氧。