[发明专利]一种用于三维集成工艺的光刻对准方法在审
| 申请号： | 201710743187.8 | 申请日： | 2017-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN107634027A | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 卢意飞 | 申请（专利权）人： | 上海微阱电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 陶金龙,张磊 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于三维集成工艺的光刻对准方法，通过在顶层晶圆正面刻蚀形成深入其内部的深沟槽，然后向沟槽中进行介质层填充，形成光刻对准标记，以在完成顶层晶圆背面减薄工艺后，使光刻对准标记得以清楚识别，从而可准确进行晶圆背面工艺的光刻对准；本发明避免了现有顶层晶圆前道工艺对准标记信号微弱且不稳定引起的无法对准及对准精度差的问题，提升了三维集成工艺中光刻对准的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 三维 集成 工艺 光刻 对准 方法 | ||
【主权项】：
一种用于三维集成工艺的光刻对准方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一顶层晶圆，在所述顶层晶圆正面形成深入其内部的光刻对准标记；步骤S02：在顶层晶圆正面进行前道和后道工艺；步骤S03：提供一底层晶圆，在所述底层晶圆正面进行前道和后道工艺；步骤S04：将顶层晶圆正面和底层晶圆正面对准进行键合；步骤S05：执行对顶层晶圆背面的减薄工艺，并使光刻对准标记得以识别；步骤S06：使用顶层晶圆的光刻对准标记实现顶层晶圆背面工艺的光刻对准。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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