[发明专利]电平偏移电路有效

专利信息
申请号: 201710743331.8 申请日: 2017-08-25
公开(公告)号: CN108270344B 公开(公告)日: 2020-11-10
发明(设计)人: L·巴托罗梅奥;江口和男;G·D·布鲁诺 申请(专利权)人: 意法半导体株式会社
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H02M1/088
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;张宁
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 电平偏移电路具有配置用于接收输入信号的输入端,其中输入信号具有对称的最大和最小电压。电平偏移电路进一步包括配置用于提供输出信号的输出端,其中输出信号具有非对称的最大和最小电压。响应于输入信号而产生输出信号。施加输出信号以驱动SiC MOSFET的栅极端子。
搜索关键词: 电平 偏移 电路
【主权项】:
1.一种电路,包括:输入节点;输出节点,被配置用于耦合至SiC MOSFET的栅极端子;电容器,被耦合在所述输入节点和所述输出节点之间;分压器电路,被耦合在所述输入节点与被配置用于耦合至所述SiC MOSFET的源极端子的参考节点之间,所述分压器电路具有分接头节点;以及第一二极管,具有耦合至所述分接头节点的阳极,以及耦合至所述电容器的端子的阴极。
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