[发明专利]脱毒甘薯三膜覆盖育苗方法

摘要

本发明公开了一种脱毒甘薯三膜覆盖育苗方法，是在冀中南地区，采用地膜、结合拱棚与日光温室的三膜覆盖条件进行脱毒甘薯的育苗，获得的育苗方法，从日光温室内苗床的制作及拱棚膜和地膜的覆盖入手，结合脱毒甘薯排薯上床方式、棚内温度、湿度等重要条件的管理等诸因素的综合，使甘薯在冀中南地区的出苗时期提前一至一个半月，满足甘薯于三月中下旬的早期种植需求，而且本发明的三膜覆盖育苗方法受外界气候干扰小，育苗面积大，棚内环境维持更稳定，能够确保大批量甘薯的育苗和出苗时期的显著提前，得到的甘薯苗在种植时具有不易出现病虫害的种植优势，另外通过高剪苗的采苗方式可完成甘薯苗一年两茬的出苗，具有积极的推广意义和显著的经济价值。

主权项

一种脱毒甘薯三膜覆盖育苗方法，其特征在于，在冀中南地区，采用地膜、结合拱棚与日光温室的三膜覆盖条件进行脱毒甘薯的育苗，于2月10～15日开始育苗，3月15～20日出苗，该育苗方法包括：a、制作日光温室苗床：a1、翻地、施肥、做畦：对日光温室内的土地进行翻地的同时施肥，然后沿南北向做畦，畦宽1.1～1.4m，形成苗床，苗床间距30～40mm；a2、在日光温室内搭建一个拱棚膜的支撑架，所述支撑架高度为1.5～1.7m；b、脱毒甘薯的育苗：b1、排薯、覆土：将选种的脱毒甘薯种薯，采用平铺的方式，以间距2～6cm排薯上床，然后覆盖厚度2～3cm的细土，进行萌芽；b2、覆盖拱棚与地膜：步骤b1后覆盖拱棚膜，然后立即浇水，待苗床上的水渗下去后覆盖地膜，进入催芽阶段；b3、棚内管理：催芽阶段使棚内温度不断升温，维持低温不低于12℃，高温不高于38℃，湿度维持80～85％；待10～12天出苗后浇一次水；待苗高10～12cm，棚内温度进行降温，维持高温不高于25℃；c、采苗：待苗高20～25cm采苗，用于甘薯种植。