[发明专利]开态电流增强的纵向隧穿场效应晶体管

摘要

本发明涉及小尺寸隧穿场效应晶体管技术。本发明解决了现有TFET器件性能不佳的问题，提供了一种开态电流增强的纵向隧穿场效应晶体管，其技术方案可概括为：开态电流增强的纵向隧穿场效应晶体管，与现有技术的区别在于在源区与埋氧层之间设置有低K介质区，栅电极嵌入一部分到本征区中，栅电极与本征区之间具有栅氧层。本发明的有益效果是，隧穿几率得到提升，器件开态电流变大，适用于小尺寸隧穿场效应晶体管。

主权项

开态电流增强的纵向隧穿场效应晶体管，包括半导体衬底、埋氧层、本征区、源区、漏区、栅氧层、栅电极、侧墙、源电极及漏电极，其特征在于，还包括低K介质区，所述埋氧层设置在半导体衬底上方，其下表面与半导体衬底的上表面相接触，低K介质层、本征区及漏区分别设置在埋氧层上方，低K介质层的下表面、本征区的下表面及漏区的下表面分别与埋氧层的上表面相接触，本征区的两侧分别与低K介质层的一侧及漏区的一侧相接触，源区设置在低K介质层上方，其下表面与低K介质层的上表面相接触，一侧与本征区的一侧相接触，栅电极嵌入一部分到本征区中，栅电极与本征区之间为栅氧层，低K介质层设置在埋氧层上方，其下表面与埋氧层的上表面相接触，上表面与源区的下表面相接触，一侧与本征区相接触，栅电极突出本征区的那一部分的侧面环绕有侧墙，侧墙的下表面与源区及漏区的上表面相接触，源电极及漏电极分别嵌入到该侧墙中，源电极的下表面与源区的上表面相接触，漏电极的下表面与漏区的上表面相接触。