[发明专利]半导体功率器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201710743927.8 | 申请日： | 2017-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN109427885A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 郑忠庆 | 申请（专利权）人： | 宁波比亚迪半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 315000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了半导体功率器件及其制备方法。所述半导体功率器件包括：衬底；轻掺杂阱区；浓掺杂阱区；源区；栅氧化层；栅极；第一绝缘介质层；热氧化层；第二绝缘介质层，第二绝缘介质层设置在热氧化层的上方，且覆盖热氧化层的上表面；正面金属。由此，源区宽度小，进而减小源区下寄生电阻，提高抗栓锁能力，性能参数稳定性高，产品良率高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体功率器件 绝缘介质层 热氧化层 源区 制备 性能参数稳定性 掺杂阱区 产品良率 寄生电阻 栅氧化层 轻掺杂 上表面 衬底 减小 抗栓 阱区 金属 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体功率器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底中部设置有凹槽；轻掺杂阱区，所述轻掺杂阱区设置在所述凹槽中，且覆盖所述凹槽的内壁面；浓掺杂阱区，所述浓掺杂阱区设置在所述轻掺杂阱区中部的上方，且覆盖所述轻掺杂区的一部分上表面；源区，所述源区对称的设置在所述浓掺杂区上方的两侧，且覆盖所述轻掺杂阱区的一部分上表面和所述浓掺杂阱区的一部分上表面；栅氧化层，所述栅氧化层对称的设置在所述衬底上方的两侧，且覆盖所述衬底的上表面、所述轻掺杂阱区的一部分上表面和所述源区的一部分上表面；栅极，所述栅极设置在所述栅氧化层的上表面；第一绝缘介质层，所述第一绝缘介质层设置在所述栅极的上表面；热氧化层，所述热氧化层设置在所述源区的上方，且覆盖所述源区的另一部分上表面；第二绝缘介质层，所述第二绝缘介质层设置在所述热氧化层的上方，且覆盖所述热氧化层的上表面；正面金属，所述正面金属设置在所述第一绝缘介质层、所述第二绝缘介质层、所述热氧化层、所述源区和所述浓掺杂阱区的外表面。
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