[发明专利]MOSFET及制备方法、电子设备、车辆在审
| 申请号： | 201710743941.8 | 申请日： | 2017-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN109427886A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 李俊俏;陈宇 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提出了MOSFET及制备方法、电子设备、车辆。该MOSFET包括：衬底，所述衬底是由SiC形成的；漂移层，所述漂移层设置在所述衬底上；栅槽，所述栅槽设置在所述漂移层中；栅极氧化层，所述栅极氧化层设置在所述栅槽的底面以及侧壁上；栅极，所述栅极填充在所述栅槽中，所述栅极设置在所述栅极氧化层远离所述飘移层的一侧；源极区以及接触区，所述源极区以及所述接触区设置在所述漂移层的顶部，所述源极区以及所述接触区位于所述栅槽的一侧，所述源极区靠近所述栅槽设置；阱区，所述阱区设置在所述漂移层中，且位于所述源极区以及所述接触区下方；以及漏极，所述漏极设置在所述衬底下方。由此，可以提高器件沟道迁移率，保护栅极氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 栅槽 漂移层 源极区 栅极氧化层 接触区 衬底 电子设备 漏极 阱区 制备 器件沟道 迁移率 侧壁 底面 飘移 填充 | ||
【主权项】：
1.一种MOSFET，其特征在于，包括：衬底，所述衬底是由SiC形成的；漂移层，所述漂移层设置在所述衬底上；栅槽，所述栅槽设置在所述漂移层中；栅极氧化层，所述栅极氧化层设置在所述栅槽的底面以及侧壁上；栅极，所述栅极填充在所述栅槽中，所述栅极设置在所述栅极氧化层远离所述飘移层的一侧；源极区以及接触区，所述源极区以及所述接触区设置在所述漂移层的顶部，所述源极区以及所述接触区位于所述栅槽的一侧，所述源极区靠近所述栅槽设置；阱区，所述阱区设置在所述漂移层中，且位于所述源极区以及所述接触区下方；以及漏极，所述漏极设置在所述衬底下方。
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