[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201710744937.3 | 申请日： | 2017-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN109427665A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 姚金才;陈宇 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了半导体器件及其制备方法，该方法包括：通过第一掩膜，在外延衬底中形成阱区；在第一掩膜的侧壁上形成第二掩膜，并通过第一掩膜和第二掩膜形成源区；在第二掩膜的侧壁上形成第三掩膜，并通过第一掩膜、第二掩膜和第三掩膜形成重掺杂阱区，重掺杂阱区与源区和阱区相连；形成第一绝缘栅介质层、栅电极层、第二绝缘栅介质层和源极接触金属层，其中，源极接触金属层与栅电极层绝缘，且与源区和重掺杂阱区相连。通过该方法可以快速有效的制备获得半导体器件，实现了沟道区域的自对准工艺和重掺杂阱区的自对准工艺，减少了一次光刻，简化工艺，节约制造成本，而且制备获得的半导体器件导通电阻的均匀性或者长期可靠性较佳。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜 阱区 半导体器件 重掺杂 制备 源区 自对准工艺 源极接触 栅电极层 介质层 金属层 绝缘栅 侧壁 长期可靠性 导通电阻 沟道区域 一次光刻 制造成本 均匀性 衬底 绝缘 节约 | ||
【主权项】：
1.一种制备半导体器件的方法，其特征在于，包括：通过第一掩膜，在外延衬底中形成阱区；在所述第一掩膜的侧壁上形成第二掩膜，并通过所述第一掩膜和第二掩膜形成源区；在所述第二掩膜的侧壁上形成第三掩膜，并通过所述第一掩膜、第二掩膜和第三掩膜形成重掺杂阱区，所述重掺杂阱区与所述源区和所述阱区相连；形成第一绝缘栅介质层、栅电极层、第二绝缘栅介质层和源极接触金属层，其中，源极接触金属层与所述栅电极层绝缘，且与所述源区和重掺杂阱区相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
