[发明专利]一种硒化锗薄膜及其制备方法

摘要

本发明涉及薄膜制备技术领域，具体涉及一种硒化锗薄膜及其制备方法。一种硒化锗薄膜，所述薄膜采用电化学法在ITO基片上沉积得到。一种硒化锗薄膜的制备方法，所述硒化锗薄膜沉积在ITO的导电侧面。具体的，将GeSe粉末放入乙醇或丙酮溶液中，形成黑褐色的悬浊液，然后将淀粉加入到悬浊液的离心上层液中，接上电源反应得到。采用该方法不仅简单，而且能够制备具有扩大硒化锗应用的硒化锗薄膜。

主权项

1.一种硒化锗薄膜，其特征在于，所述薄膜采用电化学法在ITO基片上沉积得到；所述硒化锗薄膜沉积在ITO的导电侧面；具体包括如下步骤：1) 称取10mg~30 mg的GeSe粉末放入30ml~100 mL的乙醇或丙酮溶液中，使用超声波清洗机超声震荡5min~10 min，形成黑褐色的悬浊液；2) 将悬浊液平均倒入两只离心管中，放入离心机中离心，离心机的转速为2000 ~6000 r/min，离心后取上层清液于50 mL的烧杯中；3) 称取3mg~10 mg的碘粉加入到离心后得到的上层清液中，再次超声震荡10min~15 min，使碘粉颗粒充分分散在上层液中；4) 将需要沉积GeSe薄膜的ITO基片连接直流稳压电源的负极，将金属钛片连接直流稳压电源的正极，然后将金属钛片与ITO基片保持平行并浸没在GeSe粉末与碘的悬浊液中；5) 打开直流稳压电源，调节电压为50 V，施加在ITO基片与金属钛片之间，反应时间为5min~10min；反应结束后将ITO基片从悬浊液中取出来，然后在电热鼓风干燥箱中烘干，去除薄膜表面的碘杂质，从而得到纯净的GeSe薄膜。