[发明专利]一种Si自离子注入硅基材料改善发光性能的方法有效
| 申请号： | 201710748000.3 | 申请日： | 2017-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN107611023B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 王茺;欧阳凌曦;周蒙薇;王荣飞;杨杰;邱锋;杨宇 | 申请（专利权）人： | 云南大学 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/322;H01L21/324 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650091 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明提供一种Si自离子注入硅基材料改善发光性能的方法，基于离子注入与退火技术，在表面清洗干净的硅基材料——Si基片或SOI基片的硅薄膜上通过3~5次不同能量Si自离子注入，再经调节常规退火或快速热退火不同的参数得到发光性能优异的硅基发光材料。本发明的核心在于利用离子注入技术，依次以剂量相同，能量逐步减小的方式进行Si自离子注入，增加离子注入有源层厚度，获得发光效率高，荧光湮灭速率低以及温度稳定性好的硅基发光材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si 离子 注入 基材 改善 发光 性能 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Si自离子注入硅基材料改善发光性能的方法，其特征在于：步骤为：(1)使用Shiraki标准清洗法对硅基材料进行清洗，硅基材料为p型Si基片硅薄膜、SOI基片顶层硅薄膜；(2)在硅基材料Si薄膜利用离子注入机进行3‑5次能量Si自离子注入，能量为50KeV～250KeV，每次注入能量依次减小，每次注入相同剂量，剂量为1×1013cm‑2～1×1016cm‑2；(3)对自注入后的p型Si基片进行常规退火处理，退火温度为600℃～900℃，退火时间为30～60min；对自注入后的SOI基片进行快速热退火处理，退火温度为300℃～500℃，退火时间为30～90s。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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