[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201710748871.5 | 申请日： | 2017-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN108511525B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 金东宇;李炫姃;金善政;李承勋;朴金锡;赵南奎 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括鳍型有源区、纳米片、栅极、源极/漏极区和绝缘间隔物。鳍型有源区从衬底突出并在第一方向上延伸。纳米片与鳍型有源区的上表面间隔开并包括沟道区。栅极在鳍型有源区之上。源极/漏极区连接到纳米片。绝缘间隔物在鳍型有源区上以及在纳米片之间。气隙基于绝缘间隔物的位置在绝缘间隔物与源极/漏极区之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：鳍型有源区，从衬底突出并在第一方向上延伸；多个纳米片，与所述鳍型有源区的上表面间隔开并平行于所述鳍型有源区的所述上表面延伸，所述多个纳米片的每个包括沟道区；栅极，在交叉所述第一方向的第二方向上在所述鳍型有源区之上延伸并围绕所述多个纳米片中的至少一些；源极/漏极区，连接到所述多个纳米片；以及绝缘间隔物，设置在所述鳍型有源区的所述上表面与所述多个纳米片中的最下面的一个之间、设置在所述多个纳米片之间，其中气隙基于所述绝缘间隔物的位置在所述绝缘间隔物与所述源极/漏极区之间。
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