[发明专利]一种Nano-Fin栅结构的混合阳极二极管有效
| 申请号： | 201710749529.7 | 申请日： | 2017-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN107527952B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 周琦;胡凯;张安邦;朱厉阳;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，涉及一种Nano‑Fin栅结构的混合阳极二极管。本发明中栅极为Nano‑Fin状的结构，通过等间距或不等间距的方式刻蚀势垒层为插指状，实现栅槽下方和栅槽之间异质结内二维电子气浓度可调制的一种新技术。本发明的有益效果：实现了栅下二维电子气部分耗尽进而实现增强型沟道的目的，本发明所述方法二维电子气调控精度更高、器件性能更稳定，能够避免因为流片过程中诸如退火、栅介质生长工艺等高温过程对注入离子分布的影响；本发明所述二极管的开启电压、导通电阻、反向漏电等器件特性可通过改变FIN状结构的条数和FIN状结构的宽度来调节。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nano fin 结构 混合 阳极 二极管 | ||
【主权项】：
一种Nano‑Fin栅结构的混合阳极二极管，包括衬底(1)、衬底上方的异质结、栅极、源极和漏极(6)，所述异质结由GaN层(2)与GaN层(2)上方的AlGaN层(4)形成，所述栅极位于异质结上方且与之形成肖特基接触，所述源极和漏极(6)分别位于AlGaN层(4)上表面两侧，且源极与AlGaN层形成欧姆接触；所述漏极(6)与栅极之间的AlGaN层(4)上表面具有钝化层(7)；其特征在于：所述栅极为通过局部刻蚀AlGaN层形成的Nano‑Fins结构(9)，每一片Nano‑Fin依次沿器件同时与水平面和垂直面垂直的第三维方向排列，所述Nano‑Fins结构上淀积有与之形成肖特基接触的金属薄膜(8)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710749529.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种具有高输入电容的阴极短路栅控晶闸管
- 下一篇：多晶硅自对准沟道的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
