[发明专利]半导体元件及制造方法在审
| 申请号： | 201710749641.0 | 申请日： | 2017-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN107403728A | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 单亚东;谢刚;张伟;胡丹 | 申请（专利权）人： | 广微集成技术（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心11010 | 代理人： | 焉明涛 |
| 地址： | 518054 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体元件及制造方法，用以在不降低器件开关频率和导通压降的情况下，提高高压肖特基二极管的抗浪涌能力。所述方法包括在半导体材料的预设的多个注入位置进行离子注入；通过注入的离子，在每个注入位置形成掺杂P型区，以及在所述掺杂P型区扩散出的掺杂P型扩散区；在每个注入位置进行沟槽刻蚀，并且在刻蚀过程中，刻蚀去除所述掺杂P型区，保留所述掺杂P型扩散区，以使形成的半导体元件的每个元胞区具有掺杂P型扩散区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在半导体材料的预设的多个注入位置进行离子注入；通过注入的离子，在每个注入位置形成掺杂P型区，以及在所述掺杂P型区扩散出的掺杂P型扩散区；在每个注入位置进行沟槽刻蚀，并且在刻蚀过程中，刻蚀去除所述掺杂P型区，保留所述掺杂P型扩散区，以使形成的半导体元件的每个元胞区具有掺杂P型扩散区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
