[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管制备方法和阵列基板在审
| 申请号： | 201710749797.9 | 申请日： | 2017-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN107482055A | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 王国英;宋振;孙宏达 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 罗瑞芝,陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法和阵列基板。该薄膜晶体管包括设置在衬底上方的栅极、有源层、源极和漏极，所述有源层位于中心区域，所述源极和所述漏极分别与所述有源层连接，所述栅极与所述有源层至少部分同层设置、且所述栅极与所述有源层至少两面相隔绝缘层相对设置。该薄膜晶体管的宽长比Weff/L增大，从而有效提高了器件的开态电流Ion，提高了氧化物薄膜晶体管电流驱动能力；另外，还考虑了电极对有源层的遮光效果，最大限度的减小了光照对器件VTH漂移的影响，提高了薄膜晶体管的负偏压光照稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 方法 阵列 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括设置在衬底上方的栅极、有源层、源极和漏极，其特征在于，所述有源层位于中心区域，所述源极和所述漏极分别与所述有源层连接，所述栅极与所述有源层至少部分同层设置、且所述栅极与所述有源层至少两面相隔绝缘层相对设置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710749797.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种环保型半导体晶片
- 下一篇：一种屏蔽栅VDMOS器件
- 同类专利
- 专利分类
