[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201710751502.1 | 申请日： | 2017-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN109427540B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供基底；形成栅极结构、源漏掺杂层和介质层，栅极结构位于基底上，源漏掺杂层位于栅极结构两侧的基底中，介质层位于源漏掺杂层和栅极结构上，所述源漏掺杂层中具有源漏离子；在栅极结构两侧的介质层中形成暴露出源漏掺杂层表面的第一通孔；对第一通孔底部的源漏掺杂层表面进行清洁处理；进行所述清洁处理后，在源漏掺杂层表面形成第一金属层；形成第一金属层后，在第一通孔底部的源漏掺杂层表面掺杂接触离子，接触离子的导电类型和源漏离子的导电类型相同。所述方法提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；形成栅极结构、源漏掺杂层和介质层，栅极结构位于基底上，源漏掺杂层位于栅极结构两侧的基底中，介质层位于源漏掺杂层和栅极结构上，所述源漏掺杂层中具有源漏离子；在栅极结构两侧的介质层中形成暴露出源漏掺杂层表面的第一通孔；对第一通孔底部的源漏掺杂层表面进行清洁处理；进行所述清洁处理后，在源漏掺杂层表面形成第一金属层；形成第一金属层后，在第一通孔底部的源漏掺杂层表面掺杂接触离子，接触离子的导电类型和源漏离子的导电类型相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
