[发明专利]一种铝合金电子芯片托盘及其制备工艺

摘要

本发明提供了一种铝合金电子芯片托盘的制备工艺，该电子芯片托盘使用半固态流变压铸工艺进行生产，具体包括制浆工序、流变压铸工序及时效处理工序，其中，压铸方式采用真空压铸。使用该制备工艺制得的铝合金电子芯片托盘不仅具有铝材优异性能，并且有效克服铝合金材料受热易变形的技术问题，其热变形量小，具有优异外观质量及防静电性能，开拓了电子芯片托盘的市场应用，拓展压铸件的应用领域，本发明还请求保护使用该制备工艺生产的铝合金电子芯片托盘。

主权项

1.一种铝合金电子芯片托盘的制备工艺，其特征在于，所述电子芯片托盘使用半固态流变压铸工艺进行生产，具体地，所述制备工艺包括下述步骤：制浆工序，将铝合金原材料进行熔化、冷却搅拌过程制备得到半固态浆料；流变压铸工序，将半固态浆料填充模具型腔，进行真空压铸制得压铸毛坯；时效处理工序，将压铸毛坯进行时效处理，制得电子芯片托盘；表面处理工序，将电子芯片托盘进行吹砂、CNC加工处理及超声波清洗处理，得到电子芯片托盘产品；所述流变压铸工序中，型腔真空度为50～80mbar，抽气时间为0.2～0.8s，增压压力为220～270Mpa；所述时效处理工序中，时效处理温度为180～220℃，时效处理时间为2～4小时；所述制浆工序中，所述铝合金原材料包括的各组分的质量百分比为：硅，9～12％；铜，1.2～3.5％；铝，80.6～89.0％；所述制浆工序中，搅拌速度为1000～1300rpm，并且，制得的半固态浆料温度为590～610℃，固相率为40～45％；所述模具型腔粗糙度Ra≤0.8μm，模具分型面配合间隙≤0.02mm；所述电子芯片托盘产品的表面粗糙度Ra＜1.8μm，清洁度＜5g/cm2。