[发明专利]层间介质层的表面平坦方法及基于其的半导体结构

摘要

本发明提供一种层间介质层的表面平坦方法，包括步骤：提供半导体结构，并预定义需要的层间介质层的第一厚度，于半导体结构的单元集成层上表面形成具有第二厚度的第一层间介质层，第一厚度小于第二厚度；对第一层间介质层进行过度研磨，将第一层间介质层减薄至第三厚度，获得表面平坦化的第一层间介质层，研磨液为酸性研磨液，第三厚度小于第一厚度；于第一层间介质层表面进行补偿沉积，形成具有第四厚度的第二层间介质层，其与所述第一层间介质层的迭加为半导体结构所需要的层间介质层，第四厚度小于等于第三厚度。通过上述方案，本发明可以减少层间介质层中产生的刮伤，并提高产品良率，并降低了生产成本，实现了层间介质层厚度的精确控制。

主权项

1.一种层间介质层的表面平坦方法，其特征在于，包括如下步骤：1)提供一半导体结构，所述半导体结构具有形成于单元集成层上表面的线路结构，所述半导体结构预定义所需要的层间介质层的第一厚度，于所述半导体结构的所述单元集成层的上表面形成具有第二厚度的第一层间介质层，所述第一厚度小于所述第二厚度，所述第一层间介质层覆盖所述线路结构的上表面和侧面，所述第一层间介质层填入所述线路结构间的空隙；2)以化学机械研磨方式采用研磨液对所述第一层间介质层进行过度研磨，以将所述第一层间介质层减薄至小于所述第一厚度，以获得表面平坦化的具有第三厚度的第一层间介质层，其中，所述研磨液为酸性研磨液，以缩短研磨时间并减少达到平坦化所需要去除的第一层间介质层的厚度，所述第三厚度小于所述第一厚度，其中，控制所述第一厚度以及所述第二厚度的差值，以使所述第一层间介质层在所述酸性研磨液作用下达到所述第三厚度时恰好被平坦化，进行所述研磨的研磨时间小于100秒，进行所述研磨时的所述第一层间介质层的研磨速率大于4000埃/分钟，进行所述研磨时的研磨压力为4.0～4.5磅/平方英寸，减薄后所述第一层间介质层仍覆盖所述线路结构的上表面和侧面；以及3)于具有所述第三厚度的第一层间介质层表面进行补偿沉积，形成具有第四厚度的第二层间介质层，所述第二层间介质层修复所述过度研磨对所述第一层间介质层产生的表面缺陷，且所述第二层间介质层与所述第一层间介质层两者迭加为所述半导体结构所需要的层间介质层，并且所述第四厚度小于等于所述第三厚度，所述线路结构上的介质层覆盖厚度大于所述第二层间介质层具有的所述第四厚度。