[发明专利]摩擦电子学晶体管及应用其的力、磁场传感器有效
| 申请号： | 201710753172.X | 申请日： | 2017-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN109425369B | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 张弛;赵俊青;逄尧堃;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 北京纳米能源与系统研究所 |
| 主分类号： | G01D5/14 | 分类号： | G01D5/14;G01L1/20;G01R33/06;H01L51/05 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 摩擦电子学晶体管及应用其的力、磁场传感器，其中，摩擦电子学晶体管包括：场效应晶体管，包括：基底层；沟道层，位于基底层上表面；电极，位于沟道层上表面，包括独立分布的源极和漏极，源极和漏极的部分延伸出沟道层的边缘；绝缘摩擦层，位于电极上表面的部分区域及未被覆盖的沟道层上表面；以及移动摩擦层，位于绝缘摩擦层上方，通过移动改变与绝缘摩擦层的接触/分离状态。通过绝缘摩擦层与移动摩擦层之间的接触/分离状态的改变，摩擦起电产生静电势，以调控沟道层中载流子的输运，进而可调控漏、源电极之间电流的大小，从而有效替代传统晶体管中门电极的供电电压。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道层 摩擦层 绝缘 上表面 电子学 晶体管 磁场传感器 摩擦 分离状态 移动摩擦 电极 漏极 源极 载流子 场效应晶体管 基底层上表面 传统晶体管 独立分布 供电电压 摩擦起电 有效替代 基底层 静电势 可调控 门电极 源电极 输运 应用 调控 延伸 移动 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种摩擦电子学晶体管，包括：/n场效应晶体管，包括：/n基底层；/n沟道层，位于所述基底层上表面；/n电极，位于所述沟道层上表面，包括独立分布的源极和漏极，所述源极和漏极的部分延伸出所述沟道层的边缘；/n绝缘摩擦层，位于所述电极上表面的部分区域及未被覆盖的沟道层上表面；以及/n移动摩擦层，位于所述绝缘摩擦层上方，通过移动改变与所述绝缘摩擦层的接触/分离状态；/n所述绝缘摩擦层的材质与所述移动摩擦层的材质为位于摩擦电极序列不同位置的材料。/n
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