[发明专利]一种MOSFET芯片的版图结构及MOSFET芯片

摘要

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种MOSFET芯片的版图结构及MOSFET芯片，应用于一MOSFET芯片；MOSFET芯片包括终端区，第一数量的隔离环组以及第一数量的有源区，每个有源区包括栅极金属；每个隔离环组分别围绕对应的有源区设置，用于将对应的有源区与终端区相隔离；每个隔离环组包括内外间隔围绕的第二数量的隔离环；版图结构包括一焊盘，设置于终端区；第一连线，横跨每个有源区，并将每个有源区的栅极金属并联；第一连线还与焊盘连接能够在芯片面积不变的情况下提高有源区的面积，进而增加元胞结构的数量，降低源漏导通电阻。

主权项

一种MOSFET芯片的版图结构，应用于一MOSFET芯片；所述MOSFET芯片包括终端区，第一数量的隔离环组以及所述第一数量的有源区，每个所述有源区包括栅极金属；每个所述隔离环组分别围绕对应的所述有源区设置，用于将对应的所述有源区与所述终端区相隔离；每个所述隔离环组包括内外间隔围绕的第二数量的隔离环；其特征在于，所述版图结构包括：一焊盘，设置于所述终端区；第一连线，横跨每个所述有源区，并将每个所述有源区的所述栅极金属并联；所述第一连线还与所述焊盘连接。