[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710755006.3 | 申请日： | 2017-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN108987348B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 和田龙 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12;H01L29/739;H01L29/786;H01L29/868;H01L21/331;H01L21/336;H01L21/329 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式的半导体装置具备：基板；绝缘层，设置于上述基板上；第1导电型的第1硅层，设置于上述绝缘层上；第1导电型的第1半导体区域，设置于上述第1硅层的表面；第2导电型或者第1导电型的第2半导体区域，对于上述第1半导体区域进行间隔，设置于上述第1硅层的表面；第1电极，连接于上述第1半导体区域上；第2电极，连接于上述第2半导体区域上。上述第1硅层上和上述绝缘层之间的边界附近的底部的氢浓度比上述第1硅层上从上述底部往上的部分的氢浓度更高，上述第1硅层上上述底部的电阻率比上述第1硅层上从上述底部往上的上述部分的电阻率更低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中，具备：基板；绝缘层，设置于上述基板上；第1导电型的第1硅层，设置于上述绝缘层上；第1导电型的第1半导体区域，设置于上述第1硅层的表面；第2导电型或者第1导电型的第2半导体区域，与上述第1半导体区域隔开间隔，设置于上述第1硅层的表面；第1电极，连接于上述第1半导体区域；以及第2电极，连接于上述第2半导体区域，上述第1硅层中的与上述绝缘层之间的边界附近的底部的氢浓度高于上述第1硅层中的比上述底部靠上的部分的氢浓度，上述第1硅层中的上述底部的电阻率低于上述第1硅层中的比上述底部靠上的上述部分的电阻率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
