[发明专利]一种改善3DNAND闪存SEG生长质量的方法

摘要

本发明提供了改善3D NAND闪存SEG生长质量的方法，所述方法包括以下步骤沉积衬底堆叠结构并刻蚀衬底堆叠结构以形成沟道和衬底表面的硅槽；对沟道和硅槽进行刻蚀后处理(Post Etch Treatment，PET)；采用DHF第一次清洗以去除硅槽界面处氧化物；采用NH4OH第二次以去除硅槽界面处非晶硅。本发明可以降低器件的热负载，而降低热负载对周边期间的性能有利，并可以改善SEG底部的形貌，而改善SEG底部的形貌可以提高硅外延生长高度的均一性，进而提高3D NAND闪存的整体的性能。

主权项

一种改善3D NAND闪存SEG生长质量的方法，其特征在于，包括以下步骤：沉积衬底堆叠结构；刻蚀衬底堆叠结构以形成沟道和衬底表面的硅槽；对沟道和硅槽进行刻蚀后处理(Post Etch Treatment，PET)；第一次清洗以去除硅槽界面处氧化物；第二次清洗以去除硅槽界面处非晶硅；硅外延生长。