[发明专利]一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201710755340.9 | 申请日： | 2015-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN107507914B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 朱小芹;潘佳浩;吴小丽;胡益丰;薛建忠;袁丽;吴卫华;张建豪;江向荣 | 申请（专利权）人： | 江苏理工学院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 32214 常州市江海阳光知识产权代理有限公司 | 代理人： | 孙培英<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 213001 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法，材料的化学组成通式为（Ge10Sb90）xN1‑x，其中x=0.68、0.63、0.60。本发明的制备方法通过控制磁控溅射时通入的氮气流量来控制GeSb基掺氮纳米薄膜材料中氮元素的含量，氮元素的含量能够得到精确的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 相变 存储器 gesb 基掺氮 纳米 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料，其特征在于：化学组成通式为（Ge10Sb90）xN1-x，其中x=0.68。/n
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