[发明专利]一种IV族元素离子的离子注入工艺的监测方法在审
| 申请号： | 201710755343.2 | 申请日： | 2017-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN107579025A | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 田成俊;吴宗祐;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 张振军,吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种IV族元素离子的离子注入工艺的监测方法，所述方法包括以下步骤提供半导体衬底；根据预设的第一离子注入参数，向所述半导体衬底内进行载流子离子注入，以形成载流子掺杂区；按照预设的第二离子注入参数，向所述载流子掺杂区进行IV族元素离子的离子注入，以形成混合掺杂区；对所述混合掺杂区的电阻率进行测量；根据所述混合掺杂区的电阻率，确定所述IV族元素离子的离子注入工艺是否发生异常。本发明方案可以采用电阻率测量方法确定是否发生IV族元素离子注入工艺异常。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 iv 元素 离子 注入 工艺 监测 方法 | ||
【主权项】：
一种IV族元素离子的离子注入工艺的监测方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底；根据预设的第一离子注入参数，向所述半导体衬底内进行载流子离子注入，以形成载流子掺杂区；按照预设的第二离子注入参数，向所述载流子掺杂区进行IV族元素离子的离子注入，以形成混合掺杂区；对所述混合掺杂区的电阻率进行测量；根据所述混合掺杂区的电阻率，确定所述IV族元素离子的离子注入工艺是否发生异常。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司，未经德淮半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710755343.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
