[发明专利]微影方法在审
申请号: | 201710756723.8 | 申请日: | 2017-08-29 |
公开(公告)号: | CN108227372A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 刘朕与;林进祥;张庆裕 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张福根;冯志云 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一些实施例提供的微影方法,包括形成下方层于基板上;形成含硅中间层于下方层上,其中含硅中间层具有热酸产生组成;形成光敏层于含硅中间层上;对光敏层进行曝光工艺;以及显影光敏层,以形成图案化的光敏层。 | ||
搜索关键词: | 光敏层 中间层 下方层 微影 曝光工艺 图案化 基板 热酸 显影 | ||
【主权项】:
1.一种微影方法,包括:形成一下方层于一基板上;形成一含硅中间层于该下方层上,其中该含硅中间层具有一热酸产生组成;形成一光敏层于该含硅中间层上;对该光敏层进行一曝光工艺;以及显影该光敏层,以形成一图案化的光敏层。
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