[发明专利]微影方法在审

专利信息
申请号: 201710756723.8 申请日: 2017-08-29
公开(公告)号: CN108227372A 公开(公告)日: 2018-06-29
发明(设计)人: 刘朕与;林进祥;张庆裕 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 张福根;冯志云
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一些实施例提供的微影方法,包括形成下方层于基板上;形成含硅中间层于下方层上,其中含硅中间层具有热酸产生组成;形成光敏层于含硅中间层上;对光敏层进行曝光工艺;以及显影光敏层,以形成图案化的光敏层。
搜索关键词: 光敏层 中间层 下方层 微影 曝光工艺 图案化 基板 热酸 显影
【主权项】:
1.一种微影方法,包括:形成一下方层于一基板上;形成一含硅中间层于该下方层上,其中该含硅中间层具有一热酸产生组成;形成一光敏层于该含硅中间层上;对该光敏层进行一曝光工艺;以及显影该光敏层,以形成一图案化的光敏层。
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