[发明专利]一种提升高压LED芯片发光效率的方法

摘要

本发明提供一种提升高压LED芯片发光效率的方法，包括步骤：一、生长SiO₂形成CBL，光刻CBL获得第一指定图形；二、生长ITO并进行Mesa光刻，腐蚀ITO后进行Mesa刻蚀，光刻出第二指定图形；三、光刻并刻蚀出第三指定图形，刻蚀沟槽斜面角度控制在60°‑85°；四、生长绝缘层SiO₂，去除多余的SiO₂，保留桥接处及部分发光面上的SiO₂，得到第四指定图形；五、使用正性光刻胶在沟槽处填充，做出第五指定图形；六、使用负性光刻胶光刻出第六指定图形并蒸镀PN电极金属。本发明的制备方法将ITO光刻和MESA光刻合并，将绝缘层和钝化层SiO₂光刻合并，简化了流程；沟槽面积小，增加发光面积，提高芯片发光效率；干刻蚀工艺更容易控制、杜绝断线漏电隐患；电压降低，延长产品工作寿命。

主权项

1.一种提升高压LED芯片发光效率的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤一、CBL光刻：提供一外延片，外延片包括衬底层和衬底上的GaN层，在所述外延片表面生长SiO₂形成CBL，光刻CBL获得第一指定图形；步骤二、ITO和Mesa光刻：生长ITO并进行Mesa光刻，腐蚀ITO后进行Mesa刻蚀，光刻出第二指定图形；步骤三、深刻蚀光刻：光刻并刻蚀出第三指定图形，将裸露的GaN层刻蚀至衬底，刻蚀沟槽斜面角度控制在60°‑85°，刻蚀沟槽宽度控制在6‑12μm之间；步骤四、绝缘和钝化层光刻：生长绝缘层SiO₂，通过光刻或蚀刻的方式去除多余的SiO₂，保留桥接处及部分发光面上的SiO₂，得到第四指定图形；步骤五、沟槽填充：使用正性光刻胶在沟槽处填充，做出第五指定图形；步骤六、PN金属光刻：使用负性光刻胶光刻出第六指定图形并蒸镀PN电极金属。