[发明专利]一种半导体器件的制造方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201710757078.1 | 申请日： | 2017-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109427584B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法及半导体器件，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成栅极堆叠结构；执行第一LDD注入，以在栅极堆叠结构两侧的半导体衬底中形成第一LDD区；以栅极堆叠结构为掩膜，对第一LDD区进行刻蚀，至露出半导体衬底；执行第二LDD注入，以在栅极堆叠结构两侧的半导体衬底中形成第二LDD区；在栅极堆叠结构及第一LDD区两侧形成侧壁层；在半导体衬底中形成凹槽。采用本发明的方法，侧壁层可以在形成凹槽的过程中对第一LDD区进行保护，更多的LDD区被保留，改善掺杂剂量的损失，进而提高载流子迁移率，从而提高了工艺稳定性，源极和漏极的串联电阻也会降低，从而改善短沟道效应，提高半导体器件良率和性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成栅极堆叠结构；执行第一LDD注入，以在所述栅极堆叠结构两侧的所述半导体衬底中形成第一LDD区；以所述栅极堆叠结构为掩膜，对所述第一LDD区进行刻蚀，至露出所述半导体衬底；执行第二LDD注入，以在所述栅极堆叠结构两侧的所述半导体衬底中形成第二LDD区；在所述栅极堆叠结构及第一LDD区两侧形成侧壁层；在所述半导体衬底中形成凹槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
