[发明专利]一种半导体器件的制造方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201710757092.1 | 申请日： | 2017-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109427887B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法及半导体器件，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成栅极堆叠结构；对所述半导体衬底中临近所述栅极堆叠结构其中一侧的区域执行第一离子注入工艺，以形成第一离子注入区；对所述半导体衬底中临近所述栅极堆叠结构两侧的区域执行LDD注入，以形成LDD区。采用本发明的方法，在LDD注入之前形成位于栅极堆叠结构其中一侧的第一离子注入区，一方面可以抑制后续形成的LDD区的杂质发生横向扩散所导致的短沟道效应；另一方面，可以避免由于热载流子效应所导致的器件失效，因此，在抑制短沟道效应与热载流子效应之间得到了权衡。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成栅极堆叠结构；对所述半导体衬底中临近所述栅极堆叠结构其中一侧的区域执行第一离子注入工艺，以形成第一离子注入区；对所述半导体衬底中临近所述栅极堆叠结构两侧的区域执行LDD注入，以形成LDD区。
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