[发明专利]一种半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201710757481.4 | 申请日： | 2017-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109427568A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 涂火金 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括:提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成高k介电层；在所述高k介电层上形成覆盖层或功函数金属层；对所述覆盖层或功函数金属层执行离子注入；在所述覆盖层或功函数金属层上形成金属栅极。根据本发明提供的半导体器件的制作方法，通过在形成覆盖层或功函数金属层之后执行离子注入，以避免后续形成的金属栅极中的金属原子发生扩散，从而提高了半导体器件的有效功函数，进而提高半导体器件的性能与可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 功函数金属层 覆盖层 高k介电层 金属栅极 衬底 半导体 离子 制作 有效功函数 金属原子 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成高k介电层；在所述高k介电层上形成覆盖层或功函数金属层；对所述覆盖层或功函数金属层执行离子注入；在所述覆盖层或功函数金属层上形成金属栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
