[发明专利]气体供给装置、气体供给方法有效
申请号: | 201710757592.5 | 申请日: | 2017-08-29 |
公开(公告)号: | CN109423622B | 公开(公告)日: | 2020-10-13 |
发明(设计)人: | 高梨启一;石桥昌幸 | 申请(专利权)人: | 胜高股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52;C30B25/14;C30B25/16 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 贾永健;刘林华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种能够轻松地且低成本地将气相生长用气体设定为所希望的浓度的气体供给装置及气体供给方法。运算部具备如下控制程序,即至少参考从所述气相生长装置输出的所述混合气体的流量设定值信号,以被导入到所述气相生长装置的所述原料气体的质量变得恒定的方式根据所述混合气体的浓度而运算导入到所述气相生长装置的所述混合气体的流量来获取第1运算结果,并根据该第1运算结果控制所述第1质量流量控制器,在控制所述第1质量流量控制器之后,以所述混合气体流量及所述稀释气体流量的合计流量变得恒定的方式从所述第1运算结果运算所述稀释气体的流量来获取第2运算结果,并根据该第2运算结果控制所述第2质量流量控制器。 | ||
搜索关键词: | 气体 供给 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种气体供给装置,其用于向气相生长装置分别供给包含原料气体及载气的混合气体和稀释气体,该气体供给装置的特征在于,具有:混合气体供给源,供给所述混合气体;稀释气体供给源,供给所述稀释气体;浓度测定部,测定从所述混合气体供给源流出的所述混合气体的浓度;第1质量流量控制器,控制供给到所述气相生长装置的所述混合气体的流量;第2质量流量控制器,控制供给到所述气相生长装置的所述稀释气体的流量;及运算部,控制所述第1质量流量控制器及第2质量流量控制器,所述运算部具备如下控制程序,即至少参考从所述气相生长装置输出的所述混合气体的流量设定值信号,以被导入到所述气相生长装置的所述原料气体的质量变得恒定的方式根据所述混合气体的浓度而运算导入到所述气相生长装置的所述混合气体的流量来获取第1运算结果,并根据该第1运算结果控制所述第1质量流量控制器,并且在控制所述第1质量流量控制器之后,以所述混合气体的流量及所述稀释气体流量的合计流量变得恒定的方式从所述第1运算结果运算所述稀释气体的流量来获取第2运算结果,并根据该第2运算结果控制所述第2质量流量控制器。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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