[发明专利]一种隔离结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种隔离结构及其制造方法，所述方法包括如下步骤提供一半导体衬底，在其中形成至少一个沟槽，沉积衬垫层在所述沟槽的侧壁及底面上，形成可流动式电介质在所述衬垫层的表面，并阶梯式升温固化所述可流动式电介质，所述阶梯式升温使用的固化温度至少包含梯状递增的两种固化温度，使得在所述沟槽中90 wt%以上的可流动式电介质反应为氧化物隔离体。本发明可避免快速固化反应造成沟槽上部的可流动式电介质快速固化，避免电介质中出现孔洞，并避免过度固化造成的电介质薄膜应力过大。固化完成后，电介质薄膜中Si‑H键、Si‑N键及N‑H键的总数量含量约为2~5%。本发明可改善可流动式电介质固化制程中出现微粒的现象，并提高可流动式电介质填洞能力表现。

主权项

一种隔离结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面及相对于所述第一表面的第二表面；形成至少一个沟槽在所述衬底中，用以界定出有源区，所述沟槽从所述第一表面构成开口，并往所述第二表面方向延伸；沉积衬垫层在所述沟槽的侧壁及底面上；形成可流动式电介质在所述衬垫层的表面，所述可流动式电介质填充满所述沟槽；及将形成有所述可流动式电介质的所述半导体衬底送入反应室，阶梯式升温固化所述可流动式电介质，所述阶梯式升温使用的固化温度至少包含梯状递增的两种固化温度，使得在所述沟槽中的所述可流动式电介质的90wt％以上反应为氧化物隔离体。