[发明专利]一种RMI法低温制备层状SiC基抗冲击复合陶瓷材料的方法有效
申请号: | 201710759549.2 | 申请日: | 2017-08-30 |
公开(公告)号: | CN107573074B | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 成来飞;孙孟勇;范尚武;白钰航;李明星 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | C04B35/565 | 分类号: | C04B35/565;C04B35/622 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人: | 王鲜凯 |
地址: | 710072 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明涉及一种RMI法低温制备层状SiC基抗冲击复合陶瓷材料的方法,采用流延法制备陶瓷薄膜,将干燥脱模后得到的陶瓷薄膜切割,交替叠片得到层状陶瓷预制体;对层状陶瓷预制体通过干压、低温热压、冷等静压后制备陶瓷素坯;进行高温热处理,使其具有相应的强度后再进行RMI制得层状SiC基抗冲击陶瓷。与现有技术相比,本发明采用RMI法低温制备的层状SiC基抗冲击复合陶瓷材料拥有宏观和微观层状增韧增强的效果,实现了多尺度效应;同时采用流延法结合低温热压工艺可以有效的减小气孔率,减少缺陷,增强层间结合力,提高陶瓷素坯强度,具有良好的推广应用价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 rmi 低温 制备 层状 sic 冲击 复合 陶瓷材料 方法 | ||
【主权项】:
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