[发明专利]一种双向级联式Buck-Boost变换器的软开关调制方法有效

专利信息
申请号: 201710762362.8 申请日: 2017-08-30
公开(公告)号: CN107612326B 公开(公告)日: 2019-11-15
发明(设计)人: 于晶荣;刘茂芸;邓礼敏;孙尧;粟梅 申请(专利权)人: 中南大学
主分类号: H02M3/158 分类号: H02M3/158
代理公司: 11002 北京路浩知识产权代理有限公司 代理人: 王莹;吴欢燕<国际申请>=<国际公布>=
地址: 410083湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明提供一种双向级联式Buck‑Boost变换器的软开关调制方法,包括:第一MOSFET开关管的导通时刻位于第二MOSFET开关管的关断时刻后至少一个采样周期,第一MOSFET开关管的关断时刻位于第三MOSFET开关管的导通时刻后至少一个采样周期;第二MOSFET开关管的导通时刻位于第一MOSFET开关管的关断时刻后至少一个采样周期;第三MOSFET开关管的导通时刻位于第四MOSFET开关管的关断时刻后至少一个采样周期,第三MOSFET开关管的关断时刻为电感电流过零时刻;第四MOSFET开关管的导通时刻位于第三MOSFET开关管的关断时刻后至少一个采样周期。本发明不借助于额外辅助电路实现了双向级联式Buck‑Boost变换器的软开关调制,避免调制与控制的交互影响,降低了双向级联式Buck‑Boost变换器控制系统的设计和实现难度。
搜索关键词: 一种 双向 级联 buck boost 变换器 开关 调制 方法
【主权项】:
1.一种双向级联式Buck-Boost变换器的软开关调制方法,所述双向级联式Buck-Boost变换器包括四个桥臂,所述四个桥臂包括第一MOSFET开关管、第二MOSFET开关管、第三MOSFET开关管和第四MOSFET开关管,其特征在于,所述软开关调制方法包括:/n所述双向级联式Buck-Boost变换器工作在DCM模式,对所述双向级联式Buck-Boost变换器输出电压进行PI控制后再PWM调制,得到所述第一MOSFET开关管和所述第四MOSFET开关管的初始开关信号,信号取反后得到所述第二MOSFET开关管和所述第三MOSFET开关管的初始开关信号;/n对初始开关信号进行调整,使得:/n所述第一MOSFET开关管的导通时刻位于所述第二MOSFET开关管的关断时刻后至少一个采样周期,所述第一MOSFET开关管的关断时刻位于所述第三MOSFET开关管的导通时刻后至少一个采样周期;/n所述第二MOSFET开关管的导通时刻位于所述第一MOSFET开关管的关断时刻后至少一个采样周期;/n所述第三MOSFET开关管的导通时刻位于所述第四MOSFET开关管的关断时刻后至少一个采样周期,所述第三MOSFET开关管的关断时刻为电感电流过零时刻;/n所述第四MOSFET开关管的导通时刻位于所述第三MOSFET开关管的关断时刻后至少一个采样周期;/n所述软开关调制方法具体包括以下连贯步骤:/n步骤P0、在双向级联式Buck-Boost变换器工作的初始时刻,第二MOSFET开关管和第三MOSFET开关管导通,第一MOSFET开关管和第四MOSFET开关管关断,获得负电感电流后关断第三MOSFET开关管,导通第四MOSFET开关管;/n步骤P1、向所述第二MOSFET开关管发送关断信号,延时至少一个采样周期后向第一MOSFET开关管发送导通信号;/n步骤P2、向第四MOSFET开关管发送关断信号,延时至少一个采样周期后向第三MOSFET开关管发送导通信号;/n步骤P3、在向第三MOSFET开关管发送导通信号后,延时至少一个采样周期,向第一MOSFET开关管发送关断信号,延时至少一个采样周期后向第二MOSFET开关管发送导通信号;/n步骤P4、检测电感电流过零时,向第三MOSFET开关管发送关断信号,延时至少一个采样周期后向第四MOSFET开关管发送导通信号。/n
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